5 июня 1963 года приказом Госкомитета по электронной технике был создан НИИ-336, позднее — НИИ точной технологии и завод «Ангстрем». С этого момента начинается богатая история ведущего российского технологического предприятия микроэлектроники.
Директором НИИ-336 был назначен B.C. Сергеев, занимавший ранее руководящие должности на ряде предприятий оборонной промышленности; главным инженером — А.К. Катман, талантливый инженер и прекрасный организатор.
«Более удачный тандем «директор — главный инженер НИИ» сейчас трудно представить, — вспоминал в дни подготовки к 30-летию предприятия безвременно ушедший из жизни руководитель группы управления, бывший главный конструктор Ю.М. Семенов. — B.C. Сергеева всегда отличала интеллигентность и мягкость характера, а А. К. Катман был более жестким, более требовательным… Их общей чертой был высочайший профессионализм».
Предприятие начиналось буквально на голом месте.
Как вспоминает B.C. Сергеев, под институт была выделена одна комната, где кроме стола и стула не было даже листка бумаги.
Первые дни ушли на составление плана работы, регистрацию, получение печати и назначение бухгалтера. Без этого предприятие формально не существовало и никто не получал зарплату.
Через некоторое время в распоряжение НИИ-336 была передана так называемая «школа швейников». Однако площадей не хватало и было решено углубить подвал. Как вспоминает B.C. Сергеев, «рыли все не считаясь с рангом; рыли несмотря на предупреждение архитекторов, что здание можно завалить, так как дошли уже до основания фундамента».
Но прежде его пришлось отвоевать у размещавшихся здесь отдела главного архитектора, почтового отделения, промтоварного и продуктового магазинов. При этом, по признанию первого директора предприятия, были применены «недозволенные приемы» — расклеены объявления о закрытии магазинов, а у входа на цепь посажена злая собака.
В этот же период на предприятии появилась еще одна яркая личность — главный инженер завода Э.Ф. Бенуа — потомок известной в истории российской культуры фамилии. О том, какой авторитет он приобрел на «Ангстреме», свидетельствует тот факт, что во время празднования 15-летия предприятия появление Эдуарда Фран-цевича в зале было встречено стоя, бурными овациями, хотя к тому времени он уже около двух лет работал на другом предприятии.
В конце 1963 года НИИТТ насчитывал 100 сотрудников. Их энтузиазм воплотился в создании в 1964 году технологии и организации на временных площадях производства самых маленьких в мире радиоприемников «Микро», «Эра» и «Маяк».
Однако по-настоящему серьезные дела начались в 1965 году, когда были выпущены первые партии толстопленочных интегральных схем (ИС) по гибридной технологии с уровнем интеграции 20-50 элементов на кристалле.
— История создания толстопленочных схем в какой-то мере характеризует стиль работы нашего предприятия, — пишет в своих воспоминаниях B.C. Сергеев. — Я не соглашусь с утверждениями, что мы не имели самостоятельности и слепо следовали указаниям сверху. В 1964 году по собственной инициативе при отсутствии технических материалов, специальной литературы, имея в качестве образца лишь фотографию общего вида микросхемы фирмы IBM, мы разработали и освоили ИС «Тропа». Американцы держали в строгом секрете технологию, состав резистивных и изоляционных паст. Начав с нуля, мы разработали схемотехнику, технологию, оборудование и материалы».
B.C. Сергеев вспоминает о нетрадиционных подходах, которые применялись для решения инженерных задач. Так, например, на предприятии была создана группа из рабочих (Сластин, Тимофеев, Быков, Алимкин), которая называлась «умельцы».
«Умельцам» выдавалось задание на разработку и изготовление сложного технологического оборудования, в том числе автоматического, и они принимались за дело: вырабатывали конструктивные решения, делали чертежи, изготавливали образцы. После испытаний выпускалась соответствующая документация для серийного производства.
Таким способом были созданы установки для разделения пластин на кристаллы, автомат контроля параметров кристаллов с жесткими выводами, автомат нанесения толстопленочных резисторов, механизм для штырьковки корпусов и многое другое.
«Тропа» стала первой в стране серийной схемой.
Первым серьезным испытанием схемы было создание на ее основе аппаратуры управления спутника, облетевшего вокруг Луны.
Впоследствии она широко применялась в электронных системах управления целой серии космических аппаратов, совершивших экспедиции к планетам Солнечной системы.
Последовавшие за «Тропой» схемы «Трапеция», «Терек», «Посол», «Тактика», разработанные без наличия зарубежных аналогов, отвечали мировому уровню технологии.
Созданные на «Ангстреме» схемы вызвали на выставке 1968 года в Париже подлинное удивление зарубежных специалистов.
Толстопленочная технология послужила основой для создания многослойных керамических плат и корпусов, получивших широкое распространение в микроэлектронике и приборостроении. Но руководство главка, которому подчинялось предприятие, не одобряло развитие этого направления. В самый разгар работ, как вспоминает B.C.
Сергеев, начальник главка издал приказ об их прекращении как неперспективных.
«Неумный приказ» был положен под сукно. Вскоре о нем забыли, а выполнение не проконтролировали.
В условиях командно-административной системы становление предприятия проходило трудно. По словам B.C. Сергеева, главное управление министерства «больше мешало, чем помогало», вмешиваясь в создание структуры, в решения о составе цехов и лабораторий, не разрешая заниматься полупроводниковой технологией.
— Мы поставили себе задачу создать максимально замкнутый цикл разработки и изготовления ИС, — подчеркивает B.C. Сергеев, оценивая стратегию развития предприятия в этот период. — В соответствии с этим принципом были организованы отделы и лаборатории.
Был запроектирован комплекс цехов вспомогательного производства: механический, инструментальный, пластмасс, керамики, гальванических и лакокрасочных покрытий, главного механика, главного энергетика, строительный и другие.
Были запроектированы лаборатория и цех печатных плат, которые впоследствии стали лучшими в МЭПе, благодаря чему «Ангстрему» было поручено изготовление стеклоэпоксидных плат для осваивавшейся в СССР настольной вычислительной машины.
Создание научно-производственного комплекса «НИИТТ — завод «Ангстрем»» завершилось в 1968 году.
К этому времени было уже выпущено 600 тысяч интегральных схем, а технология их производства передана на 100 предприятий отрасли и стран Восточной Европы.
НИИТТ выполнил основополагающие исследования в области пленочной технологии, материалов и технологических процессов. Были разработаны и освоены в производстве бескорпусные транзисторы, диодные матрицы, полупроводниковые интегральные схемы, расширены работы по созданию схем на МОП-структурах, создана технология и освоен выпуск ИС с жесткими выводами, начаты работы по машинному проектированию.
Этапным в развитии предприятия стал 1972 год, когда было освоено новое направление — многослойные ИС «Талисман».
Технология создания этих схем не имела мировых аналогов. Она обеспечивала резкое уменьшение габаритов и повышение быстродействия схем.
Большое значение имели начатые в том же году работы по освоению многослойных керамических корпусов. Специализированные институты МЭПа и других министерств отказывались от участия в этой программе, поскольку создание многослойной керамики с разводкой внутри слоев считалось слишком сложной проблемой. «Все равно, что по веревке забраться на Луну», — говорили на предприятии об этом проекте.
Керамические корпуса для БИС — более сложная проблема, чем сами кристаллы. К этому времени подобной технологией в мире обладали лишь несколько фирм.
В 1975 году она была разработана и передана на специализированное предприятие в городе Донском.
Впоследствии НИИТТ отстранили от функций головной организации по этому направлению.
Много сил в становление предприятия внесли такие специалисты, как Н.И. Мещанинов, В.Г. Мухин, Б.Я. Яковлев, А.Т. Яковлев, В.П. Демин, Э.Е. Иванов, И.Н. Назаров, Э.П. Савостьянов, В.И. Рыженков, В.П. Перепелкин, Б.В. Мартьянов, Ю.А. Мухин, В.П. Старенький, Ю.К. Жилов, B.C. Власенко, Н.И. Усков, Л.К. Минкин, А.Б. Невский, В.Ф. Заболотнов, Д.И. Онопко, С.К. Платонов, П.П. Силантьев, Н.К. Го-ловешкин, М.А. Овруцкий, Л.М. Мо-жаров, Э.Г. Дьяков, В.И. Волхонс-кий, СВ. Шипов, В.Г. Шамардин, Б.Я. Яровых, А.И. Зайцев, А.В. Маркелов, Л.А. Эйдензон и многие другие.