Сейчас нет области человеческой деятельности, где не использовались бы изделия микроэлектроники. К этому уже привыкли. Более того, требуют от нее еще больших чудес. И они будут!
В 1997 г. ЭВМ выиграла матч с чемпионом мира по шахматам — Каспаровым. Он обещал выиграть очередной сеанс. Напрасно! Микроэлектроника не позволит взять реванш. Ведь в ее «мозг» будет в дальнейшем вложен весь предыдущий и настоящий опыт всех лучших шахматистов мира. И «мыслить» она будет в миллиарды раз быстрее Каспарова и всех других шахматистов вместе взятых.
А впереди еще нано- и молекулярная электроника! На очереди «искусственный интеллект», а ЭВМ-шахматист — только небольшая его часть. То-то еще будет!
А что было 35 лет назад? Как говорится, это было недавно, это было давно. К тому времени постоянный конфликт между возрастающими тактико-техническими требованиями к радиоэлектронным системам различного назначения (особенно оборонной области) и их комплектующим изделиям стал особенно заметен. Различные способы миниатюризации элементной базы при существующих тогда технологических возможностях уже себя исчерпали. Даже появившиеся планарные транзисторы не решили проблемы. Но они дали мощный толчок к появлению нового технологического направления: формированию множества планарных элементов на одном, небольшом по размеру, полупроводниковом кремниевом кристалле. Появились первые интегральные полупроводниковые микросхемы (гибридные появились немного раньше). Об этом взахлеб читалось в иностранной литературе (в основном американской). И вот в 1962 г. появилось постановление ЦК КПСС и СМ СССР об организации Центра микроэлектроники — Научного центра (НЦ) и комплекса НИИ и КБ в союзных республиках.
Основателем НЦ безусловно является А. И. Шокин — талантливый инженер и организатор. Коллектив под его руководством сформировал основные принципы организации НЦ, заложил их в проект постановления ЦК КПСС и СМ СССР, обеспечил выход в свет этого постановления, а также его реализацию и непрерывное развитие НЦ. В идее организации Научного центра определенную роль сыграли Ф. Г. Старое и И. В. Берг.
В постановление были заложены основополагающие идеи:
- комплексный, замкнутый характер НЦ с организацией всех основных необходимых НИИ и опытных заводов для исследования, разработки и производства интегральных схем (ИС), материалов и технологии;
- НЦ придается статус основной головной организации в стране по микроэлектронике;
- основной комплекс НИИ и заводов располагается на одной территории (г. Зеленоград);
- градообразующей системой должна стать электронная промышленность.
Управление наукой, коллективами исследователей, инженеров, технологов, передающих свои результаты в производство с целью получения конкурентоспособных технических результатов и прибыли всегда представляет собой большую сложность, требует подвижности в организационной структуре, которая должна быстро реагировать на требования общества и времени. Так было и с организацией Научного центра.
В постановлении была предложена структура достаточности научно-технологического обеспечения — создание в одном месте ряда НИИ с опытными производствами (где необходимо), которые работали друг на друга, создавая последовательную цепочку для получения в стране конкурентоспособной продукции — интегральных микросхем и аппаратуры на их основе, соответствующей мировому уровню.
Следует отметить, что идея комплексного решения научно-технических задач большого государственного значения была не нова. Так решались вопросы при разработке ядерного оружия, ракетных систем. И это хорошо было известно А. И. Шокину как участнику таких работ. Он блестяще использовал возможность реализации этой идеи на одной территории. Далее, как говорится, дело техники.
Определились главные задачи НЦ как головной организации в стране по микроэлектронике:
- обеспечение разработок и опытного производства ИС на мировом техническом уровне в интересах обороны страны и народного хозяйства (догнать Америку);
- обеспечение перспективного научного задела;
- разработка принципов конструирования радиоэлектронной аппаратуры и ЭВМ на основе микроэлектроники, организация их производства, передача этого опыта соответствующим предприятиям страны;
- унификация ИС, условий их применения в аппаратуре на предприятиях страны;
- подготовка кадров, в том числе специалистов высшей квалификации.
Расположение комплекса НИИ и заводов на одной территории не означает, что проблемы по координации работ между ними исчезают. Увы! Структуры НЦ непрерывно видоизменялись, менялись тематические направления, их соотношения.
НЦ непрерывно наращивал свои научно-технические и производственные возможности. Ежегодный прирост выпускаемой продукции составлял до 25%. Он был одним из самых высоких по промышленности страны.
Но быстро наступило время, когда заводы НЦ перестали справляться с выполнением все возрастающих потребностей в ИС аппаратуростроительной промышленности, и особенно оборонной, практически превратились в серийные. А по замыслу этим заводам изначально предназначалась роль опытных. Аппарат ЦК КПСС и СМ СССР жестко требовал обеспечения потребности оборонной промышленности в микросхемах. Их в меньшей степени интересовало состояние заданных научно-исследовательских работ. А как же догнать и перегнать Америку?
Первый директор НИИМЭ д. т. н. Валиев К. А., один из создателей отечественной микроэлектроники, мог бы многое рассказать, как ему приходилось «крутиться», чтобы удовлетворить исключающим друг друга требованиям. В НИИМЭ разрабатывались новые отечественные перспективные технологии производства полупроводниковых (твердотельных) ИС, но «прокатывать» их на своем опытном заводе было очень мало возможностей.
Тем же самым мог бы поделиться первый директор НИИТТ Сергеев B.C. Кстати, его стараниями институт, первоначально предназначенный для разработки перспективных технологических процессов в интересах производства ИС, превратился в институт по разработке гибридных, а затем и твердотельных ИС. Это было правильно. Нельзя отрывать разработку схемотехники ИС от технологии их производства.
Создавшееся положение, когда опытные заводы НЦ в основном оказались загруженными серийным производством ИС, начало пагубным образом сказываться на дальнейших перспективах развития микроэлектроники в целом. Ведь за перспективу нес ответственность НЦ.
С целью обеспечения потребностей страны в ИС правительственными постановлениями были приняты решения о строительстве КБ и заводов на Украине, в Грузии, Азербайджане, Белоруссии, Молдавии, Прибалтике и ряде районов России. Например в городе Баку начали строить серийный завод, но дело двигалось плохо. Тогда туда командировали Дьякова Ю. Н., и под его руководством был перепроектирован, построен, оснащен и в короткие сроки запущен завод по производству ИС. За это Дьяков Ю. Н. был удостоен звания лауреата Государственной премии Азербайджанской ССР.
С ростом сложности ИС, объемов производства идея полностью замкнутого цикла в рамках одного города начала пробуксовывать. Необходимо было расширить инфраструктуру науки и промышленности, привлекать и специализировать под задачи микроэлектроники новые предприятия. Кстати, существовала противоречивая проблема распределения роли и места в разработке технологических процессов между НИИТМ, с одной стороны, и НИИМЭ и НИИТТ — с другой. Например, созданные одними из первых НИИТМ и завод «Элион» не могли разрабатывать всю гамму технологического оборудования (несколько сотен единиц), требования к которому -очень быстро возрастали. Пришлось подключить другие организации страны (например, минское КБ), а также закупать отдельные единицы зарубежного оборудования.
Кроме того, наступившая «мода» по разработке и производству продукции народного потребления на оборонных предприятиях значительно сократила возможности завода «Элион» по производству технологического оборудования. Это отвлекало средства для развития микроэлектроники. Разработка и производство магнитофонов на заводе никак не гармонировали с его основной специализацией. Следует отметить, что в период наступившего всеобщего упадка промышленности это не помогло выжить заводу. Министр А. И. Шокин, очевидно следуя указаниям свыше, выдвинул требование: на каждый рубль заработной платы — рубль товаров народного потребления. На заводах «Ангстрем» и «Микрон» этот процесс прошел менее болезненно. Они выпускали более профильную продукцию (калькуляторы, электронные часы и др.).
В результате, в том числе и по этой причине, оборудование, разработанное НИИТМ недостаточными силами и в быстром темпе, долгое время проходило «обкатку», затягивался период ввода его в эксплуатацию. А вот однотипное зарубежное оборудование (в основном американское), которое удавалось добыть через «третьи руки», после включения в сеть сразу начинало функционировать в соответствии с технологическим циклом. Это была большая проблема для нас, и мы ее до конца не решили.
А вот НИИМП и завод «Компонент» под руководством директора Г. Я. Гуськова четко выдержали позицию по разработке радиоэлектронной аппаратуры. Разработанная ими аппаратура превосходила соответствующие американские аналоги. В этом заключается большая заслуга Г. Я. Гуськова и его коллектива, которые продолжали наращивать свои успехи в этом направлении.
Комплексный характер НЦ как замкнутой системы обусловил необходимость разработки и производства полупроводниковых материалов, прежде всего кремния и кремниевых пластин. НИИМВ и завод «Элма», возглавляемые первым директором А. Ю. Малининым, решали многие проблемы практически на мировом уровне, а по арсениду галлия и фосфиду галлия даже опережали этот уровень.
Не обошлось и без серьезных коллизий, когда согласовывались технические задания и технические условия на кремниевые подложки (в основном по требованиям дефектности к ним). Противоречия между заводом «Элма» и заводами «Микрон», «Ангстрем» приводили иногда к парадоксальным итогам — требования были часто противоречивыми: то, что устраивало «Ангстрем», не устраивало «Микрон», а ведь были еще и другие потребители в стране. Приходилось находить очень трудный компромисс. Было и такое: минский завод «Интеграл» пластины устраивали, а заводы НЦ — нет. При этом процент годных с теми же подложками на минском заводе был иногда выше, чем на заводах НЦ (при производстве однотипных ИС). Приходилось разбираться и принимать решения.
В процессе разрешения этих противоречий продолжало улучшаться качество кремниевых пластин и приближаться к мировому уровню по основным параметрам. Это было необходимо, чтобы заводы «Микрон» и «Ангстрем» продолжали быстро наращивать степень интеграции на одном кристалле и все больше выпускали больших и сверхбольших ИС (БИС и СБИС).
С целью дальнейшего усиления координации работ с радиопромышленностью в конце 80-х годов был создан совместный НТС предприятия «Алмаз» и НЦ, сопредседателями которого были генеральный конструктор академик Б. В. Бункин и д. т. н. Дьяков Ю. Н.
Решения этого НТС утверждались НТС ВПК Совета Министров (Комиссии по военно-промышленным вопросам при СМ СССР) и были обязательными для исполнения. Это позволило более эффективно решать совместные проблемы по обеспечению разработок систем вооружения.
Учитывая все возрастающую ответственность НЦ за перспективы отечественной микроэлектроники, при НЦ в 1987 г. было организовано
подразделение перспективных исследований (ППИ) — руководитель д. т. н. Гаряинов С. А., в задачу которого входило рассмотрение на конкурсной основе проектов в области микроэлектроники, соответствующих мировому уровню.
Был объявлен всесоюзный конкурс, создана межведомственная комиссия, состоящая из известных ученых. В результате было рассмотрено много интересных проектов, 20 из них были приняты к реализации. Итоги работы комиссии еще раз подтвердили, что в стране имеется колоссальный невостребованный научно-технический потенциал. Из принятых к реализации проектов следует отметить, например, разработанный аванпроект по созданию мини-фабрики для автоматизированного производства заказных и полузаказных БИС (главный конструктор Сатаров Г. X.). Мини-фабрика предполагала непосредственно на предприятиях оборонных министерств разрабатывать и производить заказные БИС. Разработка этого проекта была финансирована генеральным конструктором академиком Савиным А. И.
Работа была также одобрена НТС ВПК. К сожалению, известные всем обстоятельства не позволили довести эту работу до конца. Она и сейчас имеет большое перспективное значение и ждет лучших времен для реализации. Это же можно сказать и о других принятых конкурсных проектах.
Теперь следует вернуться к первым истокам — как все начиналось в начале 50-х годов.
Микроэлектронике, как известно, непосредственно предшествовала полупроводниковая электроника, развивавшаяся на принципиально новых научных основах: использовании физических процессов и явлений в твердом теле. Выявленные преимущества твердотельных изделий позволили им заменить во многих случаях электровакуумные приборы — лампы.
Использование совершенно новых для промышленности материалов, физических принципов и процессов повлекло за собой развитие новых технологических направлений, поставило новые крайне жесткие требования к чистоте и однородности материалов, к точности работы технологического и измерительного оборудования. Ни одна из отраслей техники (разве что атомная промышленность) до этого времени не предъявляла столь жестких технических требований по широкому кругу проблем, необходимых для осуществления поставленных задач, и не могла служить достаточной базой для развития полупроводниковой электроники.
Появление первых полупроводниковых приборов (а затем через 10 лет первых интегральных схем) сначала вызвало недоверие со стороны аппаратуростроителей, которым было непросто отойти от привычных компонентов и начать создавать системы на новых принципах. Это были этапы смены поколений аппаратуры и людей, которые ее создавали.
Промышленный выпуск полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) в СССР можно начать исчислять с 1957 г., когда было выпущено 24 млн приборов, в том числе 2,7 млн транзисторов, против 28 млн транзисторов, выпущенных в США, а к 1967 году эти объемы составили соответственно 134 млн и 900 млн штук.
Действительно, уже к началу 60-х годов в США поняли, чту сулит помещение денег в новую высокотехнологическую отрасль техники. По данным Министерства торговли США в 1960 году разработкой и производством полупроводниковых приборов в стране занималось более 60 фирм, а в 1962 году их число увеличилось до 103. Производственные площади предприятий, выпускающих полупроводниковые приборы и первые интегральные схемы, составили около 1 200 тыс. кв. м, в том числе под научно-исследовательские лаборатории, расположенные на территории этих предприятий — 270 тыс. кв. м. И это не считая лабораторий в университетах и колледжах.
В конце 1959 г. появилось первое сообщение американского инженера Килби о создании в одном кристалле кремния нескольких транзисторов и резисторов. В это время в нашей стране было принято решение о выделении из состава Государственного Комитета по радиоэлектронике (ГКРЭ), руководителем которого был талантливый организатор Калмыков В. Д., части предприятий науки и промышленности, которая занималась электронными компонентами — полупроводниковыми приборами, резисторами, конденсаторами, разъемами, электровакуумными приборами и т. д., и организации Государственного Комитета по электронной технике (ГКЭТ), руководителем которого был назначен заместитель Калмыкова В. Д. Шокин А. И.
Шокин А. И. был талантливым инженером и организатором. Во время Великой Отечественной войны он занимался созданием различных передовых по тому времени систем вооружения и некоторое время находился в США, организуя закупку военной техники для нашей армии.
Руководство ГКЭТ, в состав которого входили опытные инженеры, руководители предприятий, понимало, что необходимы экстраординарные меры для развития новой отрасли, концентрация усилий на этом направлении многих людей — ученых, инженеров, рабочих, техников, руководителей. Учиться, перенимать передовой опыт в науке, организации разработок и производства за границу (в США и Европу) начиная с 1959 г. начали посылать молодых специалистов. Это были Трутко А. Ф. (впоследствии директор НИИ полупроводниковой электроники — НИИ «Пульсар»), Малин Б. В. (впоследствии начальник отдела по разработке серии ИС-110 в НИИ «Пульсар»), Стружинский В. А. (создатель высокочастотных транзисторов и организатор развития технологии электронного луча в стране, впоследствии посмертно лауреат Ленинской премии), Круглов И. И. (позже главный инженер НИИППС — НИИ «Сапфир»), Цветов В. П. (затем начальник СКТБ «Светлана») и ряд других молодых специалистов, внесших огромный вклад в становление молодой полупроводниковой отрасли.
Уже к середине 60-х годов практически 100% электронной аппаратуры, и в первую очередь электронное оборудование ракет и космических объектов, военной техники, вычислительной техники, промышленной электроники, радиолокации и радионавигации, измерительной техники и автоматики, разрабатывалось и выпускалось с применением полупроводниковых приборов. Лишь бытовая техника отставала во времени. «Клиентами» полупроводниковой отрасли стали уже несколько тысяч НИИ, КБ и заводов СССР. Резко возрастала потребность в полупроводниковых приборах, ИС и других электронных компонентах. Имеющиеся научные и производственные мощности уже не соответствовали задачам, стоящим перед отраслью. Шокин А. И. занимался проблемами полупроводниковой электроники, вникая в детали, постоянно присутствовал на НТС, где рассматривались актуальные проблемы, ездил на предприятия, беседовал со специалистами, поощрял аналитическую деятельность, внимательно следил за тенденциями развития этого направления. В начале 60-х годов полупроводниковая промышленность располагала двумя НИИ, несколькими КБ и серийными заводами. Необходимо было ставить перед правительством вопрос о кардинальном развитии отрасли, и прежде всего о развитии промышленности микроэлектроники. Шокин А. И. очень активно инициировал выход подготовленного под его руководством творческим коллективом единомышленников постановления ЦК КПСС и Совета Министров о развитии микроэлектроники.
В соответствии с постановлением ЦК КПСС и СМ СССР от 08.08.62 г. уже в 1962 г. началось строительство комплекса предприятий электронной отрасли: НИИ и опытных заводов — Центра микроэлектроники (в его состав входили 5 НИИ и 3 опытных завода: НИИ теоретических основ микроэлектроники, НИИ микросхемотехники, НИИ технологии микроэлектроники, НИИ машиностроения, НИИ специальных материалов, позже их названия были несколько изменены). Это постановление окончательно определило судьбу и новую градообразующую отрасль города-спутника Москвы, т. к. постановление о строительстве города было принято еще 3.03.1958 г., где было решено разместить легкую промышленность, и в 1960 г. началась застройка 1-го и 2-го микрорайонов.
В середине 1962 г. на временных площадях были созданы НИИ точного машиностроения (директор Иванов Е. X.) и НИИ микроприборов (директор Букреев И. Н.); в мае 1963 г. в НИИТМ были созданы первые образцы вакуумного напылительного оборудования. В июне 1963 г. был организован НИИ точной технологии (директор — Сергеев В. С, главный инженер Катман А. К.), НИИ материаловедения (директор Малинин А. Ю.), Конструкторское бюро высокоинтенсивных источников света (КБИВИС) — директор Маршак И. С.
Постановлением СМ СССР от 29.01 1963 г. директор НИИ-37 ГКРЭ д. т. н. Лукин Ф. В. был назначен заместителем председателя ГКЭТ, а приказом председателя ГКЭТ Шокина А. И. от 8. 02. 1963 г. он был назначен директором строящегося Центра микроэлектроники. Лукину Ф. В. пришлось активно включиться в создание нового комплекса предприятий ГКЭТ, на которые была возложена громадная задача — создать научно-технические и промышленные основы микроэлектроники в СССР, организовать производство, готовить кадры. Эти проблемы еще более укрепили уверенность опытного директора, который создал несколько крупных радиоэлектронных систем, в комплексности поставленной задачи, необходимости быстро организовать еще несколько НИИ, как это и было задумано авторами постановления от 8 августа 1962 г. и создать четкую систему управления новыми предприятиями. 28 декабря 1963 г. председатель ГКЭТ Шокин А. И. подписал приказ об организации дирекции Центра микроэлектроники (ДНЦ) и утвердил ее структуру. Дирекция и руководители предприятий активно занимались решением огромного количества проблем, возникающих в период строительства и становления промышленного комплекса, формирования работоспособных коллективов. В этот период важную роль в объединении усилий руководителей промышленности, строительства и городского хозяйства сыграл Бутузов С. М.
В 1964 г. в новом городе создали еще несколько НИИ, в том числе НИИ молекулярной электроники (директор д. ф. м. н. Валиев К. А.), НИИ физических проблем (директор д. ф. м. н. Стафеев В. И.). В этом же году главным инженером НИИ точного машиностроения был назначен И. Г. Блинов. Позднее, в 1965 г. директором НИИТМ был назначен блестящий инженер-машиностроитель Савин В. В. К концу 1964 г. был введен в строй первый завод площадью 40 тыс. кв. м — «Элион» при НИИ точного машиностроения. Это был большой успех.
Учитывая все возрастающую роль электронных компонентов для обороны страны и народного хозяйства в начале 1965 г. ГКЭТ был преобразован в Министерство электронной промышленности, министром назначен Шокин А. И.
В 1965 г. на должность главного инженера Центра микроэлектроники был назначен Ефимов И. Е., д. т. н., профессор. Он возглавлял научно-техническую деятельность ДНЦ и предприятий центра до начала 1971 г.
В 1965 г. на предприятиях Центра микроэлектроники уже работало несколько тысяч человек, было введено в строй 60 тысяч кв. м площадей.
В 1966 г. на базе предприятий Центра микроэлектроники было создано научно-техническое объединение, включающее 6 НИИ, 5 заводов при НИИ, вычислительный центр и дирекцию Центра.
В Советском Союзе планирование велось по пятилеткам, и 1970 год являлся последним годом VIII пятилетки. К этому времени разработкой и производством интегральных схем в стране занимались уже около 20 предприятий: НИИ, КБ, опытные и серийные заводы.
Очень важную роль в развитии отечественной микроэлектроники с первых ее шагов играл Воронежский завод полупроводниковых приборов — ВЗПП (директор — Гарденин Н. И., главный инженер Колесников В. Г.). В КБ этого завода в 1964 году началась активная работа по созданию ИС. Группа молодых специалистов (Никишин В. И, Толстых Б. Л., Удовик А. П., Петров Л. Н., Булгаков С. С, Завальский Ю. П., Хорошков Ю. И., Черников А. И., Горлов М. И., многие из них стали потом крупными руководителями в электронной промышленности страны) в короткие сроки разработала образцы полупроводниковых ИС, которые к концу 1966 г. были переданы на производство. Создание на ВЗПП серии ИС, массовое производство этих ИС в Воронеже, а затем и на других заводах, внесли большой вклад в развитие отрасли и играли огромную роль в создании важнейших оборонных комплексов страны.
В 1970 г. в стране было выпущено 3,6 млн ИС 69-ти серий: 30 серий были гибридными (толстопленочными и тонкопленочными), 7 серий полупроводниковыми по технологии «Металл-окисел-полупроводник» (МОП), 32 серии — полупроводниковыми на основе р-n перехода и с диэлектрической изоляцией. НИИМЭ с заводом «Микрон», руководимые директором Валиевым К. А. и главным инженером Назарьяном А. Р., создали базовую технологию для массового производства цифровых и линейных схем, которую можно было передавать на другие предприятия для освоения. Разработчики и технологи НИИТТ и завода «Ангстрем» развернули широкомасштабную работу по созданию гибридных ИС на толстых и тонких пленках и разработали документацию, необходимую для их выпуска на других заводах. Предприятие выпускало корпуса для различных типов ИС (в том числе корпус «Схема-66» для массового производства полупроводниковых ИС). Эти работы возглавляли Сергеев В. С, Катман А. К. и воплощали в жизнь Демин В. П. — директор и Бенуа Э. Ф. — главный инженер завода «Ангстрем». Завод к этому времени выпускал 109 типономиналов гибридных ИС, институт разработал основные принципы технологии и схемотехники больших гибридных интегральных схем (БГИС) на многослойной керамической подложке. Готовилась программа работ по развитию производства БГИС. Серия К-224 толстопленочных гибридных ИС стала основой для выпуска черно-белых и цветных телевизоров и радиоприемников.
НИИМЭ, НИИ «Пульсар», воронежское КБ разработали базовые маршруты планарной технологии для производства ИС и планарных транзисторов, и по их техническому заданию НИИТМ (директор Савин В. В., главный инженер Блинов И. Г.), Минское конструкторское бюро технологического машиностроения (КБТМ) под руководством директора И. М. Глазкова, НИИ технологии организации производства (НИИТОП, г. Горький) под руководством Салина А. Г., НИИ полупроводникового машиностроения (НИИПМ), директор Лаврентьев К. А., главный инженер Масленников П. Н. — г. Воронеж, НИИ Электронстандарта, г. Ленинград, директор Гаген, разработали комплект технологического оборудования «Корунд», обеспечивающий массовый выпуск ИС и полупроводниковых приборов по планарной технологии. Оборудование было принято в качестве базового комплекта для оснащения промышленных предприятий отрасли на следующую пятилетку (1971-1975 гг.). Накопленный положительный опыт эксплуатации опытных линий «Корунд» на заводе «Микрон», Воронежском заводе полупроводниковых приборов, опытном заводе НИИ «Пульсар», позволил приступить к разработке новых высокопроизводительных автоматизированных линий для массового промышленного выпуска полупроводниковых ИС, планарных транзисторов и диодов на пластинах повышенного диаметра (до 75 мм), что должно было привести к резкому снижению их стоимости, повышению производительности труда. Главным конструктором разработки новой линии «Корунд-С» был назначен главный инженер НИИТМ Блинов И. Г., главным технологом — главный инженер НИИМЭ Назарьян А. Г. Этим же приказом ответственным за создание необходимых материалов, и в первую очередь кремния повышенного диаметра, для производства ИС и оборудования для его обработки был определен НИИМВ (директор Малинин А. Ю., гл. инженер Кузнецов Ю. Н.). Сроки были жесткие — предъявить линии для эксплуатации в начале 1971 г. Это были очень сложные задачи для всех предприятий, т. к. НИИМЭ и завод «Микрон» в 1968 г. еще работали на пластинах диаметром 25-30 мм, в 1969-1970 гг. на пластинах диаметром 40 мм. Технологически минимальные размеры в 1968 г. были 8-10 мкм, в 1970 г. — 2-5 мкм.
Было принято, что в конце пятилетки подводились итоги работы, и руководство МЭП по рекомендации оборонного отдела ЦК КПСС (Сербии И. Д.) и руководства Военно-промышленной комиссии при Совмине СССР (Устинов Д. Ф.) назначили комиссию по оценке деятельности предприятий Научного центра микроэлектроники и его дирекции. Работа Научного центра и предприятий была оценена положительно, отмечена его огромная роль в развитии микроэлектроники в государстве. Была признана большая роль, которую сыграл крупный ученый и организатор Лукин Ф. В. в становлении и успехах Научного центра и создании работоспособного коллектива. Однако было указано на недостаточную координацию разработок ИС в отрасли, в ряде случаев дублирование, технологическую разобщенность предприятий, отсутствие единой технической политики в работе с заказчиками (аппаратуростроительными предприятиями), медленное внедрение результатов НИОКР в промышленное производство. Нужно было перестраивать работу комплекса предприятий микроэлектроники, придав им большие возможности для внедрения новых ИС в производство. Это привело к объединению 9-го Главного управления МЭП, которому подчинялся Научный центр микроэлектроники с 2-м Главным управлением, которому были подчинены практически все НИИ, КБ и заводы полупроводниковой промышленности, т. е. произошла концентрация всей микроэлектроники и полупроводниковой промышленности страны в рамках одного Главного управления МЭП. Начальником этого управления был прекрасный организатор промышленности Константинов А. А., главным инженером молодой, но уже опытный Васенков А. А., заместителем начальника управления — прошедший большую школу промышленности и работы в ЦК КПСС Грибачев А. П.
В октябре 1970 г. в связи с обострившейся болезнью была удовлетворена просьба Лукина Ф. В. об уходе и принято решение о назначении директором Научного центра микроэлектроники опытного разработчика аппаратуры, главного инженера КБ-1, к. т. н. генерал-майора Пивоварова А. В. В начале 1971 г. главный инженер Научного центра д. т. н., профессор Ефимов И. Е. был назначен ректором Московского института связи, главным инженером — заместителем директора по науке Научного центра стал Васенков А. А.
Задачи на пятилетие 1971-1975 гг. были поставлены. Прежде всего нужно было привлечь для производства ИС дополнительные мощности, оказать помощь заводам в освоении новой продукции, разработать предложения по специализации предприятий по производству, помочь НИИ и КБ избавиться от дубляжа в разработках новых изделий, которые заказывали сотни НИИ, КБ, предприятий радиоаппаратуростроения. Отрасль микроэлектроники работала в условиях ограниченности финансирования и недостаточности мощностей для разработки и изготовления ИС. Эта работа по упорядочению заказываемых для разработок ИС, специализации предприятий отрасли приказом министра была поручена дирекции Научного центра.
В состав дирекции Научного центра входили опытные руководители. Заместителями по производству в свое время были Бечин Г. В., ставший впоследствии директором «Ангстрема», а затем генеральным директором объединения «Механика»; его сменил Язов М. Г., прошедший затем большой путь: от директора завода «Элион» до председателя Зеленоградского исполкома Совета народных депутатов, а затем заместителя министра МЭП. Кадрами Научного центра руководил опытный Агапов Л. Ф., замдиректора по режиму был Трифонов В. И., отлично возглавлявший свое направление работы, главными бухгалтерами работали Тоноян Г. С, а затем Споялова В. А. Научно-технический комплекс ДНЦ возглавляли: зам. главного инженера Барканов Н. А. и Смолко Г. Г., руководители подразделений Кузнецова Р. С, Гигина Н. Д., Арапенков А. П., Астафурова Н. И., Козидубов В. П., Терехов Ю. В., Соловьев М. М., Иванов В. И. и др. Они были высококвалифицированными специалистами, работали с огоньком, не считаясь со временем.
Следует отметить, что к началу 1971 г. научно-промышленный комплекс Научного центра имел уже около 300 тыс. м2 научно-производственных площадей, общая численность работающих в науке и производстве микроэлектроники составляла 12,8 тысяч человек.
Во исполнение приказа министра была рассмотрена специализация 26 предприятий отрасли (НИИ, КБ, заводов). Все предприятия в той или иной степени нуждались в поддержке: обеспечении новым технологическим оборудованием, вычислительной техникой и необходимыми материалами, создании систем автоматизированного проектирования, устранении дублирования, получении возможностей по широкому обмену технологическими маршрутами и освоению передовых технологических процессов, разумной и целесообразной унификации технологии. Эта работа с активным участием всех предприятий была проведена в короткие сроки, и в ней сыграли самую активную роль все НИИ Научного центра, которые, по существу, стали головными по своим направлениям деятельности. Результаты были обсуждены на НТС Научного центра с участием первого заместителя министра Колесникова В. Г., затем рассмотрены на Координационном НТС министерства и закреплены приказами по Главным управлениям; естественно, была отмечена необходимость и неотвратимость будущих изменений и совершенствования как самих технологий, так и специализации предприятий.
Эта работа проводилась параллельно с большой аналитической работой на предприятиях и в ДНЦ. В ней рассматривались тенденции развития микроэлектроники в мире и особенно в США, Японии, Западной Европе, которые вкладывали огромные средства в развитие микроэлектроники, понимая, что именно она является ключом к прогрессу в научно-технической и промышленной составляющей экономического развития. Несмотря на жестокую конкурентную борьбу, между развитыми странами широко практиковалась продажа лицензий, патентов, имелась возможность оперативно закупать документацию на технологические процессы, новейшее технологическое, контрольно-измерительное и оптико-механическое оборудование, материалы и т. д.
Отечественная полупроводниковая промышленность была полностью лишена такой возможности из-за жесткого эмбарго со стороны развитых стран, и прежде всего США, которые создали специальный международный комитет (КОКОМ), контролирующий все научно-технические и торгово-экономические взаимоотношения с СССР. КОКОМ разработал положение и огромный свод правил, по которым СССР нельзя было продавать не только передовые технологии и изделия, принадлежащие к области любой высокой технологии, и в первую очередь к микроэлектронике и вычислительной технике, но и технологическое и измерительное оборудование, материалы, прецизионное станочное оборудование и т. д. Этот свод правил занимал около 250 страниц текста. Предприятиям электронной отрасли промышленности нашей страны пришлось самостоятельно проводить все разработки ИС, технологии, оборудования, материалов, создавать новую инфраструктуру. Возможности были ограничены, обращения к смежным отраслям, специализировавшимся в разработке оптики, контрольно-измерительного оборудования, материалов и т. д., как правило, заканчивались отказом. Иногда удавалось передавать уже отработанную предприятиями МЭП технологию изделия для массового производства в другое ведомство, но это случалось не часто, да и сроки освоения новой продукции затягивались на годы. В результате — запланированное отставание.
Руководство МЭП, Научного центра, предприятия доказывали, что проблема развития микроэлектроники — это проблема создания высокой технологии нового уровня, основа дальнейшего прогресса многих отраслей нашей страны, и решать ее нужно комплексно, рассматривая как национальную задачу. Поддержки сверху было немного.